Mod Kegagalan MOSFET Kuasa dalam Pengoptimal Photovoltaic

Mod kegagalan yang mungkin MOSFET dalam pengoptimuman photovoltaic termasuk yang berikut:

1 、 kuasa MOSFET terlalu panas: Jika kuasa MOSFET berfungsi di bawah beban tinggi untuk masa yang lama, ia boleh menyebabkan suhu peranti lebih tinggi daripada julat suhu yang dinilai, dan dengan itu gagal

2 、 Penukaran kasar: Apabila kekerapan penukaran MOSFET kuasa tinggi, mungkin terdapat gangguan semasa atau fenomena berkedip yang disebabkan oleh pengumpulan caj yang tidak mencukupi di dalam peranti semasa proses pensuisan, yang dipanggil penukaran kasar.

3 、 Oscillation Damped: Apabila gabungan induktansi dan kapasitansi dalam pengoptimal photovoltaic menghasilkan resonans, ia boleh menyebabkan ayunan lembap dalam kuasa MOSFET.

4 、 Galvanic Crostion atau Pecahan: Jika semasa atau voltan dalam peranti melebihi nilai nilai MOSFET, ia boleh menyebabkan hakisan elektrik atau kerosakan elektrik, menyebabkan MOSFET gagal.

5 、 Faktor lain: Faktor persekitaran, termasuk berbasikal suhu, getaran, kelembapan dan habuk, mungkin juga memberi kesan kepada kebolehpercayaan dan seumur hidup kuasa MOSFET.

Pengoptimuman Kuasa Photovoltaic ：

Pengoptimal kuasa photovoltaic mengamalkan algoritma perisian yang unik, yang dapat menjejaki titik kuasa maksimum modul tunggal dalam masa nyata. Pengguna boleh memilih pelbagai jenis pengoptimuman kuasa mengikut keadaan operasi sebenar sistem photovoltaic. , untuk menyelesaikan masalah pengurangan kuasa sistem fotovoltaik yang dikurangkan oleh teduhan, perbezaan orientasi komponen atau pelemahan komponen yang tidak konsisten, untuk mencapai output kuasa maksimum dan pemantauan dalam talian komponen tunggal, dan untuk meningkatkan kecekapan sistem.