ເບິ່ງ: 0 ຜູ້ຂຽນ: ບັນນາທິການເວັບໄຊທ໌ເຜີຍແຜ່ເວລາ: 2023-07-18 ຕົ້ນກໍາເນີດ: ສະຖານທີ່
ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ເປັນໄປໄດ້ຂອງ Mosfet ໃນ photovoltaic Optimizer ປະກອບມີດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
1, Power Mosfet Overheating: ຖ້າ Power Mosfet ເຮັດວຽກຢູ່ພາຍໃຕ້ການໂຫຼດສູງເປັນເວລາດົນ, ມັນອາດຈະເຮັດໃຫ້ອຸນຫະພູມຂອງອຸປະກອນສູງກວ່າລະດັບອຸນຫະພູມຂອງມັນສູງກວ່າ, ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງລົ້ມເຫລວ
2, ການປ່ຽນແປງທີ່ຫຍາບຄາຍ: ເມື່ອຄວາມຖີ່ໃນການປ່ຽນພະລັງງານຂອງພະລັງງານແມ່ນມີຄວາມຜິດພາດໃນປະຈຸບັນຫຼືການປະຕິບັດການປ່ຽນແປງທີ່ບໍ່ມີປະສິດຕິພາບ.
3, ການປະສົມປະສານທີ່ເສີຍຫາຍ: ເມື່ອການປະສົມປະສານຂອງການຫຼຸດລົງແລະຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດ optimizer ຜະລິດຕະພັນໃຫ້ຫາຍດີ, ມັນອາດຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຊຸ່ມຊື່ນໃນ Mosfet ພະລັງງານ.
4, ການເຊາະເຈື່ອນຂອງການເຊາະເຈື່ອນທີ່ມີຄວາມຫຼໍ່ຫຼອມຫຼືຄວາມສ່ຽງໃນອຸປະກອນເກີນມູນຄ່າຂອງ Mosfet ຫຼືການແບ່ງແຍກໄຟຟ້າ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ megfet.
5, ປັດໃຈອື່ນໆ: ປັດໄຈດ້ານສິ່ງແວດລ້ອມ, ລວມທັງການຂີ່ຈັກຍານ, ການສັ່ນສະເທືອນ, ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນແລະຂີ້ຝຸ່ນ, ອາດຈະມີຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະຊີວິດຂອງພະລັງງານ Mosfet.
The TopVoratic Power Optimizer ຮັບຮອງເອົາລະບົບ algorithm ທີ່ມີເອກະລັກ, ເຊິ່ງສາມາດຕິດຕາມ ຈຸດໄຟຟ້າສູງສຸດ ຂອງໂມດູນດຽວໃນເວລາຈິງໃນເວລາຈິງ. ຜູ້ໃຊ້ສາມາດເລືອກປະເພດພະລັງງານທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງພະລັງງານທີ່ດີທີ່ສຸດຕາມສະພາບການດໍາເນີນງານຕົວຈິງຂອງລະບົບ photovoltaic. , ເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາຂອງລະບົບໄຟຟ້າຖ່າຍຮູບທີ່ເກີດຈາກການຮົ່ມຫຼືການຕິດຕາມຄວາມສາມາດໃນການຮົ່ມແລະການຕິດຕາມຄວາມສາມາດສູງສຸດແລະປັບປຸງອົງປະກອບດຽວ, ແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ.
