Перегляди: 0 Автор: Редактор сайтів Опублікувати Час: 2023-07-18 Початковий: Ділянка
Можливі режими відмови MOSFET у фотоелектричному оптимізері включає наступне:
1 、 Перегрівання потужності MOSFET : Якщо потужність MOSFET працює під великим навантаженням тривалий час, це може призвести до того, що температура пристрою буде вищою за його номінальний діапазон температури, і, таким чином, вийти з ладу
2 、 Грубі перемикання: Коли частота перемикання потужності MOSFET висока, може виникнути поточне переривання або мерехтіння явища, спричинене недостатнім накопиченням заряду всередині пристрою під час перемикання, що називається шорстким перемиканням. Прополотована груба операція перемикання може призвести до відмови MOSFET
3 、 Затніжні коливання: Коли комбінація індуктивності та ємності у фотоелектричному оптимізаторі виробляє резонанс, це може спричинити демпфіровані коливання в потужному мосфеті.
4 、 Гальванічна ерозія або розбиття: Якщо струм або напруга в пристрої перевищує номінальне значення MOSFET, це може спричинити електричну ерозію або електричну зрив, внаслідок чого MOSFET вийшов з ладу.
5.
Photovoltaic Power Optimizer приймає унікальний алгоритм програмного забезпечення, який може відстежувати максимальну точку потужності одного модуля в режимі реального часу. Користувачі можуть вибирати різні типи оптимізатора електроенергії відповідно до фактичних умов роботи фотоелектричної системи. , щоб вирішити проблему зменшення виробництва потужності фотоелектричних систем, спричинених затіненням, відмінностями до орієнтації компонентів або непослідовним ослабленням компонентів, для досягнення максимальної потужності та онлайн -моніторингу одного компонента та підвищення ефективності системи.
