Görünümler: 0 Yazar: Site Editör Yayınlama Zamanı: 2023-07-18 Köken: Alan
Olası başarısızlık modları Fotovoltaik optimize edici MOSFET aşağıdakileri içerir:
1 、 Power MOSFET Aşırı ısınma: Power Mosfet uzun süre yüksek yük altında çalışıyorsa, cihaz sıcaklığının nominal sıcaklık aralığından daha yüksek olmasına neden olabilir ve bu nedenle başarısız olabilir
2 、 Kaba Anahtarlama: Power MOSFET anahtarlama frekansı yüksek olduğunda, anahtarlama işlemi sırasında cihaz içinde yetersiz yük birikiminin neden olduğu akım kesintisi veya titreyen fenomen olabilir.
3 、 Sönümlü salınım: Fotovoltaik optimize edicideki endüktans ve kapasitans kombinasyonu rezonans ürettiğinde, güç mosfetinde sönümlü salınıma neden olabilir.
4 、 Galvanik erozyon veya bozulma: Cihazdaki akım veya voltaj MOSFET'in nominal değerini aşarsa, elektrik erozyonuna veya elektrik bozulmasına neden olabilir ve MOSFET'in başarısız olmasına neden olabilir.
5 、 Diğer faktörler: Sıcaklık döngüsü, titreşim, nem ve toz dahil çevresel faktörlerin de güç mosfet'in güvenilirliği ve ömrü üzerinde bir etkisi olabilir.
Fotovoltaik güç optimize edici izleyebilen benzersiz bir yazılım algoritmasını benimser . maksimum güç noktasını gerçek zamanlı olarak , tek bir modülün Kullanıcılar, fotovoltaik sistemin gerçek çalışma koşullarına göre farklı güç optimize edici türlerini seçebilirler. , gölgeleme, bileşen yönlendirme farklılıkları veya tutarsız bileşen zayıflaması nedeniyle neden olan fotovoltaik sistemlerin düşük enerji üretimi problemini çözmek, maksimum güç çıkışını ve tek bir bileşenin çevrimiçi izlenmesini sağlamak ve sistem verimliliğini artırmak.
