दृश्य: 0 लेखक: साइट संपादक प्रकाशित समय: 2023-07-18 मूल: साइट
की संभावित विफलता मोड फोटोवोल्टिक ऑप्टिमाइज़र में MOSFET निम्नलिखित में शामिल हैं:
1 、 पावर MOSFET ओवरहीटिंग: यदि पावर MOSFET लंबे समय तक उच्च लोड के तहत काम करता है, तो यह डिवाइस का तापमान अपने रेटेड तापमान रेंज से अधिक हो सकता है, और इस प्रकार विफल हो सकता है
2 、 रफ स्विचिंग: जब पावर MOSFET स्विचिंग फ़्रीक्वेंसी अधिक होती है, तो स्विचिंग प्रक्रिया के दौरान डिवाइस के अंदर अपर्याप्त चार्ज संचय के कारण होने वाली वर्तमान रुकावट या झिलमिलाहट की घटना हो सकती है, जिसे रफ स्विचिंग कहा जाता है।
3 、 नम दोलन: जब फोटोवोल्टिक ऑप्टिमाइज़र में इंडक्शन और कैपेसिटेंस का संयोजन प्रतिध्वनि पैदा करता है, तो यह पावर MOSFET में नम दोलन का कारण बन सकता है।
4 、 गैल्वेनिक कटाव या ब्रेकडाउन: यदि डिवाइस में वर्तमान या वोल्टेज MOSFET के रेटेड मान से अधिक है, तो यह विद्युत कटाव या विद्युत टूटने का कारण हो सकता है, जिससे MOSFET विफल हो सकता है।
5 、 अन्य कारक: पर्यावरणीय कारक, जिसमें तापमान साइकिल चलाना, कंपन, नमी और धूल शामिल हैं, का भी पावर MOSFET की विश्वसनीयता और जीवनकाल पर प्रभाव पड़ सकता है।
फोटोवोल्टिक पावर ऑप्टिमाइज़र एक अद्वितीय सॉफ्टवेयर एल्गोरिथ्म को अपनाता है, जो अधिकतम पावर पॉइंट को ट्रैक कर सकता है। वास्तविक समय में एकल मॉड्यूल के उपयोगकर्ता फोटोवोल्टिक सिस्टम के वास्तविक परिचालन स्थितियों के अनुसार विभिन्न प्रकार के पावर ऑप्टिमाइज़र का चयन कर सकते हैं। , छायांकन, घटक अभिविन्यास अंतर या असंगत घटक क्षीणन के कारण होने वाले फोटोवोल्टिक सिस्टम की कम बिजली उत्पादन की समस्या को हल करने के लिए, अधिकतम बिजली उत्पादन और एक एकल घटक की ऑनलाइन निगरानी प्राप्त करने के लिए, और सिस्टम दक्षता में सुधार करने के लिए।
