Maoni: 0 Mwandishi: Mhariri wa Tovuti Chapisha Wakati: 2023-08-11 Asili: Tovuti
Mfululizo wa TIDA-01588 hutumiwa sana katika printa za laser kuendesha na kudhibiti nafasi ya motors za brashi za DC (BDC) zinazoendesha kwenye betri 3 hadi 6 za seli za Li-ion, ambapo usambazaji wa umeme na mistari ya ishara ya encoder hupatikana inahusika.
Kifaa chake cha Ulinzi wa Duru ya Nguvu hutumia SMBJ33CA, ambayo inaweza kulinda vizuri chip ya nguvu, na kuongezeka kwa mwisho wa pembejeo kuna athari nzuri ya kushinikiza, na kasi ya majibu ya kiwango cha picosecond.
SMBJ33CA Vigezo muhimu:
1 、 PW: 600W V@11.3A Clamping Voltage 53.3V
2 、 SMD Package, DO-214AA/SMB
3 、 Ultra-low kuvuja kwa sasa, majibu ya picosecond
4 、 JESD210A Kiwango cha Kimataifa
Vigezo muhimu vya ESDLC5V0D3B:
VRM: 5V VC@1A 9.8V Kiwango cha majibu ya haraka ya NS
Tube ya nguvu ya MOS yenyewe ina faida nyingi, lakini bomba la MOS lina uwezo dhaifu wa kuhimili upakiaji wa muda mfupi, haswa katika matumizi ya hali ya juu, kwa hivyo katika utumiaji wa mirija ya nguvu ya MOS, mzunguko mzuri wa ulinzi lazima uendelee ili kuboresha kuegemea kwa kifaa hicho.
1 、 Zuia lango di/dt kutoka kuwa juu sana
Due to the use of the driver chip, its output impedance is low, directly driving the power tube will cause the driven power tube to be turned on and off quickly, which may cause voltage oscillation between the drain and source of the power tube，or it may cause the power tube to suffer from excessive di/dt and cause false conduction.In order to avoid the occurrence of the above phenomenon, a resistor is usually connected in series between the output of the MOS driver and the Lango la transistor ya MOS, na saizi ya kontena kwa ujumla huchaguliwa kama makumi ya ohms.
2 、 Zuia kupita kiasi kati ya lango na chanzo
kwa sababu ya uingiliaji mkubwa kati ya lango na chanzo, mabadiliko ya ghafla katika voltage kati ya kukimbia na chanzo kitaunganishwa na lango kupitia uwezo wa kati wa umeme ili kutoa voltage ya kiwango cha juu cha lango, ambayo itafanya kuvunjika kwa safu ya oksidi ya chanzo.
Wakati huo huo, ni rahisi kukusanya malipo kwenye lango na kusababisha kuvunjika kwa safu ya oksidi ya lango. Kwa hivyo, bomba la zener linapaswa kushikamana sambamba na lango la bomba la MOS ili kupunguza voltage ya lango chini ya thamani ya mdhibiti wa bomba la voltage kulinda bomba la MOS kutokana na kuvunjika. Resistor sambamba kwenye lango la Transistor ya MOS ni kuachilia malipo ya lango na kuzuia shtaka lisikusanyika.
3 、 Ulinzi dhidi ya overvoltage kati ya kukimbia na chanzo
Ingawa VDS ya kuvunjika kwa chanzo VDS kwa ujumla ni kubwa sana, ikiwa hakuna mzunguko wa ulinzi kwa chanzo cha kukimbia, inawezekana pia kwamba voltage ya kilele cha kukimbia itatolewa kwa sababu ya mabadiliko ya ghafla ya kifaa kinachobadilika sasa, ambacho kitaharibu bomba la MOS, na kasi ya kubadili kasi ya bomba la nguvu, juu zaidi itakuwa. Ili kuzuia uharibifu wa kifaa, hatua za kinga kama vile Zener diode clamps na mizunguko ya RC snubber kawaida hutumiwa. Wakati wa sasa ni mkubwa sana au mzunguko mfupi unatokea, sasa kati ya kukimbia na chanzo cha nguvu ya MOS itaongezeka haraka na kuzidi thamani iliyokadiriwa, na nguvu ya MOS lazima izimishwe ndani ya wakati ulioainishwa na kiwango cha juu cha thamani, na vifaa vya mos lazima vimezimwa ndani ya wakati ulioainishwa na kiwango cha juu cha thamani, na nguvu ya mos lazima ikazimishwa ndani ya wakati ulioainishwa na kiwango cha juu cha thamani, na nguvu mos tube lazima kuzima ndani ya wakati ulioainishwa na kiwango cha juu cha thamani, na distate devep, devept devept devept devept devept devept devept thamani ya kiwango cha juu, na vile vile devep devep. Choma, kwa hivyo ongeza mzunguko wa sasa wa ulinzi wa sampuli kwenye mzunguko kuu, wakati sasa inafikia thamani fulani, zima mzunguko wa gari kupitia mzunguko wa ulinzi kulinda bomba la MOS.
