Wyświetlenia: 0 Autor: Edytor witryny Publikuj Czas: 2023-08-11 Pochodzenie: Strona
Seria TIDA-01588 jest szeroko stosowana w drukarkach laserowych do napędzania i kontrolowania pozycji silników DC (BDC) działających na akumulatorach litowo-jonowych 3 do 6 komórek, gdzie linie sygnałowe zasilające i enkoderowe okazują się być podatne.
Jego urządzenie ochrony obwodu portu zasilania wykorzystuje SMBJ33CA, które może dobrze chronić układ zasilania, a wzrost na końcu wejściowym ma dobry efekt zacisku, z prędkością odpowiedzi na poziomie pikosekundowym.
SMBJ33CA Ważne parametry:
1 、 PW: 600W V@11.3A Napięcie zacisku 53,3 V
2 、 Pakiet SMD, DO-214AA/SMB
3 、 Ultra-niski prąd upływowy, reakcja pikosekundowa
4 、 Międzynarodowy standard JESD210A
Ważne parametry ESDLC5V0D3B:
VRM: 5V VC@1A 9,8V Ultra-Fast Response Poziom NS
Sama rurka mocy MOS ma wiele zalet, ale Rurka MOS ma stosunkowo delikatną zdolność do wytrzymania krótkoterminowego przeciążenia, szczególnie w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości, więc w stosowaniu rur mocy MOS musi być zaprojektowany rozsądny obwód ochrony, aby poprawić niezawodność urządzenia.
1 、 Zapobiegaj zbyt wysokim bramce DI/dt
Ze względu na użycie układu sterownika jego impedancja wyjściowa jest niska, bezpośrednio napędzanie rurki mocy spowoduje szybkie włączenie i wyłączanie rurki mocy, co może powodować oscylację napięcia między odpływem a źródłem rurki mocy, lub może powodować, że rura mocy cierpi z powodu nadmiernego DI/dt i spowodować fałszywe przewodnictwo. Zakładanie uporządkowania, aby uniknąć wystąpienia fenomenu powyższego fenomenu, jest zwykle połączona z serią Między MOS -MOS, a bramą i bramą i Bazą. Tranzystor MOS, a wielkość rezystora jest ogólnie wybierana jako dziesiątki omów.
2 、 Zapobiegaj przepięciu między bramą a źródłem
ze względu na wysoką impedancję między bramą a źródłem, nagła zmiana napięcia między drenażem a źródłem zostanie połączona z bramą poprzez pojemność międzyelektrodową, aby wygenerować stosunkowo wysokie napięcie kolca przybrzeżnego, co sprawi, że bardzo cienki rozkład warstwy tlenowej bramki.
Jednocześnie łatwo jest zgromadzić ładunki na bramie i spowodować rozkład warstwy tlenku bramki. Dlatego rurkę Zenera należy podłączyć równolegle do bramki rurki MOS, aby ograniczyć napięcie bramki poniżej wartości regulatora rurki napięcia, aby chronić rurkę MOS przed rozbiciem. Równoległy rezystor na bramie tranzystora MOS ma uwolnić ładunek bramki i zapobiec kumulacji ładunku.
3 、 Ochrona przed przepięciem między odpływem a źródłem
Chociaż VDS z rozkładem spustowym jest na ogół bardzo duży, jeśli nie ma obwodu ochronnego dla źródła drenażu, możliwe jest również, że napięcie szczytowe będzie wygenerowane z powodu nagłej zmiany prądu przełączającego urządzenie, który uszkodzi rurkę MOS, a im szybciej prędkość przełączania rurki zasilającej, będzie wyższa przepięcie. Aby zapobiec uszkodzeniu urządzenia, zwykle stosowane są pomiary ochronne, takie jak zaciski diody Zenera i obwody rc snubber. Gdy prąd jest zbyt duży lub występuje zwarcie, prąd między drenażem a źródłem rurki MOS mocy będzie gwałtownie wzrastać i przekroczy wartość znamionową, a rurka mocy MOS musi zostać wyłączona w czasie w czasie określonym ograniczeniem nadmiernej wartości. Wypałsz, więc dodaj prąd obwód ochrony próbkowania w obwodzie głównym, gdy prąd osiągnie określoną wartość, wyłącz obwód napędowy przez obwód ochronny, aby chronić rurkę MOS.
