Mga Views: 0 May-akda: Site Editor Nag-publish ng Oras: 2023-08-11 Pinagmulan: Site
Ang serye ng TIDA-01588 ay malawakang ginagamit sa mga laser printer upang himukin at kontrolin ang posisyon ng mga brushed DC (BDC) na mga motor na tumatakbo sa 3 hanggang 6-cell na mga baterya ng Li-ion, kung saan ang mga linya ng suplay ng kuryente at mga linya ng signal ng encoder ay natagpuan na madaling kapitan.
Ang aparato ng proteksyon ng circuit ng port port ay gumagamit ng SMBJ33CA, na maaaring maprotektahan ang power chip, at ang pag-agos sa dulo ng pag-input ay may mahusay na epekto ng clamping, na may bilis ng pagtugon sa antas ng picosecond.
SMBJ33CA Mahahalagang Parameter:
1 、 PW: 600W V@11.3A Clamping boltahe 53.3V
2 、 SMD Package, DO-214AA/SMB
3 、 Ultra-low leakage kasalukuyang, Picosecond Response
4 、 Jesd210a Pamantayan sa Pandaigdig
Mahalagang mga parameter ng ESDLC5V0D3B:
VRM: 5V VC@1A 9.8V ultra-mabilis na tugon ns level
Ang power MOS tube mismo ay may maraming mga pakinabang, ngunit ang MOS tube ay may medyo marupok na kakayahang makatiis ng panandaliang labis na labis na labis, lalo na sa mga aplikasyon ng high-frequency ， kaya sa aplikasyon ng mga tubo ng MOS, isang makatwirang circuit ng proteksyon ay dapat na idinisenyo para sa ito upang mapagbuti ang pagiging maaasahan ng aparato.
1 、 Pigilan ang gate di/dt mula sa pagiging masyadong mataas
Due to the use of the driver chip, its output impedance is low, directly driving the power tube will cause the driven power tube to be turned on and off quickly, which may cause voltage oscillation between the drain and source of the power tube，or it may cause the power tube to suffer from excessive di/dt and cause false conduction.In order to avoid the occurrence of the above phenomenon, a resistor is usually connected in series between the output of the Ang driver ng MOS at ang gate ng MOS transistor, at ang laki ng risistor ay karaniwang napili bilang sampu -sampung ohms.
2 、 Pigilan ang overvoltage sa pagitan ng gate at mapagkukunan
dahil sa mataas na impedance sa pagitan ng gate at ang mapagkukunan, isang biglaang pagbabago sa boltahe sa pagitan ng kanal at ang mapagkukunan ay isasama sa gate sa pamamagitan ng inter-electrode capacitance upang makabuo ng medyo mataas na gate-source spike boltahe, na gagawing napaka manipis na gate-source oxide layer breakdown.
Kasabay nito, madali itong makaipon ng mga singil sa gate at maging sanhi ng pagkasira ng layer ng gate-source oxide. Samakatuwid, ang isang zener tube ay dapat na konektado sa kahanay sa gate ng MOS tube upang limitahan ang boltahe ng gate sa ibaba ng halaga ng regulator ng tubo ng boltahe upang maprotektahan ang tubo ng MOS mula sa pagkawasak. Ang kahanay na risistor sa gate ng MOS transistor ay ilabas ang singil ng gate at maiwasan ang singil mula sa pag -iipon.
3 、 Proteksyon laban sa overvoltage sa pagitan ng kanal at mapagkukunan
Bagaman ang pag-agos ng source breakdown boltahe VDS sa pangkalahatan ay napakalaki, kung walang proteksyon circuit para sa source ng kanal, posible rin na ang boltahe ng rurok ng kanal ay bubuo dahil sa biglaang pagbabago ng kasalukuyang paglilipat ng aparato, na masisira ang tubo ng MOS, at ang mas mabilis na bilis ng paglipat ng power tube, mas mataas ang overvolt ay magiging. Upang maiwasan ang pagkasira ng aparato, ang mga panukalang proteksiyon tulad ng mga clamp ng Zener Diode at RC snubber circuit ay karaniwang ginagamit. Kapag ang kasalukuyang ay masyadong malaki o isang maikling circuit ay nangyayari, ang kasalukuyang nasa pagitan ng kanal at mapagkukunan ng tubo ng MOS ay dapat na tataas sa oras na tinukoy ng overcurrent na halaga ng halaga, kung hindi man ang aparato ay mapahamak. Burn out, kaya magdagdag ng isang kasalukuyang circuit ng proteksyon ng sampling sa pangunahing circuit, kapag ang kasalukuyang umabot sa isang tiyak na halaga, patayin ang drive circuit sa pamamagitan ng proteksyon circuit upang maprotektahan ang tubo ng MOS.
