Vistas: 0 Autor: El editor de sitios Publicar Tiempo: 2023-08-11 Origen: Sitio
La serie TIDA-01588 se usa ampliamente en las impresoras láser para conducir y controlar la posición de los motores de CC cepillados (BDC) que se ejecutan en baterías de iones de litio de 3 a 6 celdas, donde la fuente de alimentación y las líneas de señal del codificador son susceptibles.
Su dispositivo de protección del circuito de puerto de potencia utiliza SMBJ33CA, que puede proteger bien el chip de alimentación, y el aumento en el extremo de entrada tiene un buen efecto de sujeción, con la velocidad de respuesta a nivel de picosegundos.
SMBJ33CA Parámetros importantes:
1 、 PW: 600W V@11.3A Voltaje de sujeción 53.3V
2 、 paquete SMD, DO-214AA/SMB
3 、 Corriente de fuga ultra baja, respuesta de picosegundos
4 、 JESD210A Estándar internacional
Parámetros importantes de ESDLC5V0D3B:
VRM: 5V VC@1A 9.8V Nivel de respuesta ultra rápida
El tubo de potencia MOS en sí tiene muchas ventajas, pero el tubo MOS tiene una capacidad relativamente frágil para soportar una sobrecarga a corto plazo, especialmente en aplicaciones de alta frecuencia, por lo que en la aplicación de tubos de MOS de alimentación, se debe diseñar un circuito de protección razonable para mejorar la confiabilidad del dispositivo.
1 、 evitar que la puerta di/dt sea demasiado alta
Debido al uso del chip del controlador, su impedancia de salida es baja, conducir directamente el tubo de alimentación hará que el tubo de potencia accionado se encienda y apagará rápidamente, lo que puede causar la oscilación de voltaje entre el drenaje y la fuente del tubo de alimentación, o puede hacer que el tubo de alimentación se sufra de DI/DT excesivo y cause una conducción falsa. El transistor MOS y el tamaño de la resistencia generalmente se seleccionan como decenas de ohmios.
2 、 Evite la sobrevoltaje entre la puerta y la fuente
debido a la alta impedancia entre la puerta y la fuente, un cambio repentino en el voltaje entre el drenaje y la fuente se acoplará a la puerta a través de la capacidad de la capacitancia entre electrodos para generar un voltaje de espiga de fuente de puerta relativamente alto, lo que hará la columna de la capa de óxido de la puerta de la puerta muy delgada.
Al mismo tiempo, es fácil acumular cargas en la puerta y causar la descomposición de la capa de óxido de fuente de puerta. Por lo tanto, se debe conectar un tubo Zener en paralelo a la puerta del tubo MOS para limitar el voltaje de la puerta por debajo del valor del regulador del tubo de voltaje para proteger el tubo MOS para que se descomponga. La resistencia paralela en la puerta del transistor MOS es liberar la carga de la puerta y evitar que la carga se acumule.
3 、 Protección contra la sobretensión entre el drenaje y la fuente
Aunque el voltaje de descomposición de la fuente de drenaje es generalmente muy grande, si no hay un circuito de protección para la fuente de drenaje, también es posible que se genere el voltaje máximo de drenaje debido al cambio repentino de la corriente de conmutación del dispositivo, lo que dañará el tubo MOS, y cuanto más rápido sea la velocidad de conmutación del tubo de alimentación, mayor será el sobrevoltaje. Para evitar el daño del dispositivo, generalmente se usan medidas de protección como las abrazaderas de diodos Zener y los circuitos de RC Snubber. Cuando la corriente es demasiado grande o se produce un cortocircuito, la corriente entre el drenaje y la fuente del tubo MOS de potencia aumentará rápidamente y excederá el valor nominal, y el tubo de MOS de potencia debe apagarse dentro del tiempo especificado por el valor límite de sobrecurrencia, de lo contrario, el dispositivo será dañado. Quemado, por lo que agregue un circuito de protección de muestreo de corriente en el circuito principal, cuando la corriente alcance un cierto valor, apague el circuito de transmisión a través del circuito de protección para proteger el tubo MOS.
