Görünümler: 0 Yazar: Site Editör Yayınlama Zamanı: 2023-08-11 Köken: Alan
TIDA-01588 Serisi, lazer yazıcılarda, güç kaynağı ve kodlayıcı sinyal hatlarının duyarlı olduğu 3 ila 6 hücreli Li-ion piller üzerinde çalışan fırçalanmış DC (BDC) motorlarının konumunu sürmek ve kontrol etmek için yaygın olarak kullanılmaktadır.
Güç bağlantı noktası devre koruma cihazı, güç çipini iyi koruyabilen SMBJ33CA'yı kullanır ve giriş ucundaki artış, pikosaniye düzeyinde tepki hızı ile iyi bir sıkıştırma etkisine sahiptir.
SMBJ33CA Önemli Parametreler:
1 、 PW: 600W V@11.3A Kelepçe Voltajı 53.3V
2 、 SMD Paketi, DO-214AA/SMB
3 、 Ultra düşük sızıntı akımı, pikosaniye yanıtı
4 、 Jesd210A Uluslararası Standardı
ESDLC5V0D3B'nin önemli parametreleri:
VRM: 5V VC@1A 9.8V Ultra hızlı yanıt NS seviyesi
Power MOS tüpünün kendisi birçok avantajı vardır, ancak MOS tüpü, özellikle yüksek frekanslı uygulamalarda ， kısa süreli aşırı yüklemeye dayanmak için nispeten kırılgan bir yeteneğe sahiptir, bu nedenle güç MOS tüplerinin uygulanmasında, cihazın güvenilirliğini artırmak için makul bir koruma devresi tasarlanmalıdır.
1 、 Kapı DI/DT'nin çok yüksek olmasını önleyin
Sürücü çipinin kullanımı nedeniyle, çıkış empedansı düşüktür, doğrudan sürüş güç tüpünün, tahrikli güç tüpünün hızlı bir şekilde açılmasına ve kapatılmasına neden olur, bu da güç tüpünün drenajı ve kaynağı arasında voltaj salınımına neden olabilir veya güç tüpünün aşırı di/dt'den muzdarip olmasına ve yanlış iletimden kaynaklanmasına neden olabilir. Yukarıdaki fenomen, genellikle dirençten kaçınmaya neden olmak için, ve bir dirençten kaçınmak için, çıkışın bulunmasını önlemek için, aralarından kaçınmak için, aralarından kaçınmak için. MOS transistör ve direnç boyutu genellikle onlarca ohm olarak seçilir.
2 、 Kapı ve kaynak arasındaki aşırı gerilimi önleyin,
kapı ve kaynak arasındaki yüksek empedans nedeniyle, drenaj ve kaynak arasındaki voltajda ani bir değişiklik, çok ince kapı kaynağı oksit katmanının parçalanmasını sağlayacak nispeten yüksek bir kapı kaynağı artış voltajı oluşturmak için kapıya birleştirilecektir.
Aynı zamanda, kapıda yükleri biriktirmek ve kapı kaynağı oksit tabakasının bozulmasına neden olmak kolaydır. Bu nedenle, MOS tüpünün parçalanmasını önlemek için voltaj tüpünün regülatör değerinin altındaki kapı voltajını sınırlamak için MOS tüpünün kapısına paralel bir Zener tüpü bağlanmalıdır. MOS transistörünün kapısındaki paralel direnç, kapı yükünü serbest bırakmak ve şarjın birikmesini önlemektir.
3 、 Tahliye ve kaynak arasındaki aşırı gerilime karşı koruma
Drenaj kaynaklı arıza voltajı VD'leri genellikle çok büyük olsa da, drenaj kaynağı için bir koruma devresi yoksa, MOS tüpüne zarar verecek cihaz anahtarlama akımının ani değişmesi ve güç tüpünün anahtarlama hızı daha hızlı, aşırı bağlama o kadar yüksek olacak. Cihaz hasarını önlemek için, Zener Diyot Kelepçeleri ve RC Snubber devreleri gibi koruyucu önlemler genellikle kullanılır. Akım çok büyük olduğunda veya kısa devre meydana geldiğinde, güç mos tüpünün drenajı ve kaynağı arasındaki akım hızla artacak ve nominal değeri aşacak ve güç mos tüpünün aşırı akışlı sınırla belirtildiği süre içinde kapatılmalıdır, aksi takdirde cihaz hasar görülecektir. Yakın, bu nedenle ana devreye bir akım örnekleme koruma devresi ekleyin, akım belirli bir değere ulaştığında, moS tüpünü korumak için koruma devresinden tahrik devresini kapatın.
