TIDA-01588 시리즈는 레이저 프린터에서 3 내지 6 셀 리-이온 배터리에서 실행되는 브러시 드 DC (BDC) 모터의 위치를 구동하고 제어하는 데 널리 사용되며, 전원 공급 장치 및 인코더 신호 라인이 감수성이있는 것으로 밝혀졌습니다.
전원 포트 회로 보호 장치는 전원 칩을 잘 보호 할 수있는 SMBJ33CA를 사용하며 입력 끝에서의 서지는 피코 초 수준의 응답 속도와 함께 클램핑 효과가 우수합니다.
SMBJ33CA 중요한 매개 변수 :
1 00 PW : 600W V@11.3A 클램핑 전압 53.3v
2 SMD 패키지, DO-214AA/SMB
3 l 초 저 누출 전류, 피코 초 반응
4 a JED210A 국제 표준
ESDLC5V0D3B의 중요한 매개 변수 :
VRM : 5V VC@1A 9.8V 초고속 응답 NS 레벨
Power MOS 튜브 자체에는 많은 장점이 있지만 MOS 튜브는 특히 고주파수 응용 분야에서 단기 과부하를 견딜 수있는 비교적 취약한 기능을 가지고 있으므로 전력 MOS 튜브를 적용 할 때는 장치의 신뢰성을 향상시키기 위해 합리적인 보호 회로를 설계해야합니다.
1 d 게이트 DI/DT가 너무 높지 않도록합니다
드라이버 칩의 사용으로 인해 출력 임피던스가 낮아서 전력 튜브를 직접 구동하면 구동 전력 튜브가 빠르게 켜지고 꺼져 전력 튜브의 소스 사이의 전압 진동이 발생하거나 전력 튜브가 과도한 DI/DT로 어려움을 겪게 될 수 있으며, 이는 과도한 DI/DT로 고통을 일으킬 수 있습니다. MOS 트랜지스터 및 저항의 크기는 일반적으로 수십 옴으로 선택됩니다.
2 t 게이트와 소스 사이의 높은 임피던스로 인한 게이트와 소스 사이의 과전압 방지
, 배수와 소스 사이의 전압의 갑작스런 변화는 전극 간 정전 용량을 통해 게이트에 결합되어 비교적 높은 게이트 소스 스파이크 전압을 생성하여 매우 얇은 게이트 소스 층 분해를 만듭니다.
동시에, 게이트에 전하를 축적하고 게이트 소스 산화물 층의 파괴를 유발하는 것은 쉽습니다. 따라서, 제너 튜브는 MOS 튜브의 게이트 전압을 전압 튜브의 조절기 값 아래로 제한하기 위해 MOS 튜브의 게이트와 평행하게 연결되어야한다. MOS 트랜지스터의 게이트의 평행 저항은 게이트 전하를 방출하고 충전이 축적되는 것을 방지하는 것입니다.
3 ol 배수와 소스 사이의 과전압에 대한 보호
드레인 소스 고장 전압 VD는 일반적으로 매우 크지 만, 배수 소스에 대한 보호 회로가 없다면, 장치 전환 전류의 갑작스런 변화로 인해 배수 피크 전압이 생성 될 수도 있으며, 이는 전력 튜브의 스위칭 속도가 더 빨라질수록 과전압이 더 높아질 수 있습니다. 장치 손상을 방지하기 위해 Zener 다이오드 클램프 및 RC Snubber 회로와 같은 보호 조치가 일반적으로 사용됩니다. 전류가 너무 크거나 단락이 발생하면 전력 튜브의 배수와 소스 사이의 전류가 빠르게 증가하고 정격 값을 초과하고 전력 MOS 튜브는 과거 한계에 의해 지정된 시간 내에 꺼져 있어야합니다. 그렇지 않으면 장치가 손상됩니다. 타 버린 경우 메인 회로에 전류 샘플링 보호 회로를 추가하십시오. 전류가 특정 값에 도달하면 MOS 튜브를 보호하기 위해 보호 회로를 통해 드라이브 회로를 끄십시오.
