Zobraziť: 0 Autor: Editor stránok Publikovať Čas: 2023-08-11 Pôvod: Miesto
Séria TIDA-01588 sa široko používa v laserových tlačiarňach na pohon a riadenie polohy kefovaných motorov DC (BDC), ktoré bežia na 3 až 6-bunkových li-iónových batériách, kde sa zistilo, že napájací zdroj a signálne vedenia kódovača sú náchylné.
Jeho zariadenie na ochranu obvodov napájacích portov používa SMBJ33CA, ktoré dokáže dobre chrániť výkonový čip, a nárast na vstupnom konci má dobrý upínací efekt s rýchlosťou odozvy na úrovni pikosekundu.
SMBJ33CA Dôležité parametre:
1 、 PW: 600W V@11.3A Upevňovacie napätie 53,3V
2 、 balík SMD, DO-214AA/SMB
3 、 Ultra nízka únik prúd, pikosekundová reakcia
4 、 Medzinárodný štandard JESD210A
Dôležité parametre ESDLC5V0D3B:
VRM: 5V VC@1A 9,8V Ultra rýchla odpoveď NS úroveň
Samotná trubica Power MOS má veľa výhod, ale trubica MOS má relatívne krehkú schopnosť odolávať krátkodobému preťaženiu, najmä vo vysokofrekvenčných aplikáciách ，, takže pri aplikácii Power MOS trubice musí byť pre neho navrhnutý primeraný ochranný obvod na zlepšenie spoľahlivosti zariadenia.
1 、 Zabráňte príliš vysokému bráne Di/DT
Due to the use of the driver chip, its output impedance is low, directly driving the power tube will cause the driven power tube to be turned on and off quickly, which may cause voltage oscillation between the drain and source of the power tube，or it may cause the power tube to suffer from excessive di/dt and cause false conduction.In order to avoid the occurrence of the above phenomenon, a resistor is usually connected in series between the output of the MOS driver and the Brána MOS tranzistora a veľkosť odporu sa všeobecne vyberie ako desiatky ohmov.
2 、 Zabráňte prepnutiu medzi bránou a zdrojom
v dôsledku vysokej impedancie medzi bránou a zdrojom, náhla zmena napätia medzi odtokom a zdrojom bude spojená s bránou cez kapacitu medzi elektródami, aby sa vygenerovala relatívne prelomenie oxidovej vrstvy s vysokým obsahom brány.
Zároveň je ľahké akumulovať náboje na bráne a spôsobiť rozdelenie vrstvy oxidu zdroja brány. Preto by mala byť zenerová trubica pripojená rovnobežne s bránou MOS trubice, aby sa obmedzilo napätie brány pod hodnotou regulátora napäťovej trubice, aby sa chránila mos trubica pred rozpadom. Paralelný rezistor na bráne tranzistora MOS je uvoľniť náboj brány a zabrániť hromadeniu náboja.
3 、 Ochrana proti prepätiu medzi odtokom a zdrojom
Aj keď je rozkladné napätie odtokového zdroja VDS vo všeobecnosti veľmi veľké, ak neexistuje žiadny ochranný obvod pre zdroj odtoku, je tiež možné, že napätie odtokového vrcholu bude generované v dôsledku náhlej zmeny prúdu prepínania zariadenia, ktorý poškodí mos trubicu, a čím rýchlejšie je rýchlosť prepínania elektrickej trubice, čím vyššia bude nadmerná sieť. Aby sa zabránilo poškodeniu zariadenia, obvykle sa používajú ochranné opatrenia, ako sú svorky zener diód a RC Snubber Circuits. Keď je prúd príliš veľký alebo došlo k skratu, prúd medzi odtokom a zdrojom výkonovej trubice sa rýchlo zvýši a prekročí sa hodnotená hodnota, a bude poškodená hodnota, inak sa poškodí. Vyhoríte, tak pridajte obvod na ochranu vzorkovania prúdu v hlavnom obvode, keď prúd dosiahne určitú hodnotu, vypnite hnací obvod cez ochranný obvod, aby ste chránili mos trubicu.
