DFN2020-6 Mosfet

Das DFN2020-6-Gehäuse ist ein sehr kleines Kunststoffgehäuse mit sechs Pins.Zu seinen Merkmalen gehören die geringe Größe, die einfache Installation und die Eignung für Leiterplattendesigns mit hoher Dichte.Das DFN2020-6-Gehäuse weist typischerweise einen geringeren Einschaltwiderstand und geringere Schaltzeiten auf, wodurch es für stromsparende und kleine elektronische Geräte geeignet ist.Dieses Gehäuse verfügt außerdem über gute thermische Eigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch es für eine Vielzahl tragbarer und eingebetteter elektronischer Geräte geeignet ist.

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HLT7P02F26 mit DFN2020-6L-Gehäuse, P-Kanal-Anreicherungs-MOS nutzt fortschrittliche Trench-Technologie mit hochdichtem Design, um den Durchlasswiderstand zu minimieren.

Besonderheit

VDS = -20 V, ID = -7,2 A
RDS(EIN) <21 mΩ bei VGS=-4,5 V
Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)
Zellendesign mit hoher Dichte
Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Anwendung

Adapterschalter, Lastschalter
PWM-Anwendungen
Energieverwaltung

Produktkategorie

Quicklinks

Lösung

Automobilsystem

Industrielle Instrumentierung

USB-Schnittstelle

Symbol	Abmessungen in Millimetern
Symbol	MINDEST.	NOM.	MAX.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0,20REF.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56REF.
e	0,65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

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Stromspannung	Teilname	V(BR)DSS	Ausweis	Aufbau	RDS(on)-typ	RDS(ein)-max	V ( Gs ) th-min	V ( Gs ) th-max
Stromspannung	Teilname	(V)	(A)	Aufbau	(mΩ)10V	(mΩ)4,5V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual N	-	150	0.4	1.2

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20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual N	-	150	0.4	1.2

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