DFN2020-6 MOSFET

Yint koti » Tuotteet » Mosfetit » Mosfetit » DFN2020-6 » Dfn2020-6 Mosfet

Jaa:

DFN2020-6 MOSFET

DFN2020-6-pakkaus on erittäin pieni muovipakkaus, jossa on kuusi nasta. Sen ominaisuuksia ovat pieni koko, helppo asennus ja soveltuvuus korkean tiheyden piirilevyn malleihin. DFN2020-6 -paketissa on tyypillisesti alhaisempi vastus- ja kytkentäajat, joten se sopii pienitehoisiin ja pieniin elektronisiin laitteisiin. Tällä paketilla on myös hyvät lämpöominaisuudet ja korkea luotettavuus, joten se sopii moniin kannettaviin ja sulautettuihin elektronisiin laitteisiin

saatavuus:

Määrä:



Tiedustella Lisää koriin

HLT7P02F26 DFN2020-6L-paketilla, P-kanavan parannus-MOS: lla käytetään edistynyttä trenssitekniikkaa, jolla on korkeatiheysmalli, jotta minimoidaan valtioiden vastus.

Ominaisuus

VDS = -20V, id = -7,2a
RDS (ON) <21MΩ @ VGS = -4,5V
Erittäin alhainen vastustuskyky RDS (ON)
Suuri tiheys solujen suunnittelu
Nopea kytkentänopeus

Soveltaminen

Sovittimen kytkin, latauskytkin
PWM -sovellukset
Virranhallinta

Edellinen:

Seuraava:

Tuoteryhmä

Nopea linkit

Ratkaisu

Autoteollisuus

Teollisuussoittimet

USB -käyttöliittymä

Symboli	Millimetrien mitat
Symboli	Min.	Nom.	Enintään
Eräs	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20REF.
b -	0.25	0.30	0.35
D -d	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56REF.
e	0,65bsc.
Lens	0.30	0.35	0.40
K -k -	0.20	-	-

Symboli	Millimetrien mitat
Symboli	Min.	Nom.	Enintään
Eräs	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20REF.
b -	0.25	0.30	0.35
D -d	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56REF.
e	0,65bsc.
Lens	0.30	0.35	0.40
K -k -	0.20	-	-

Jännite	Osien nimi	V (BR) DSS	Henkilöllisyystodistus	Kokoonpano	RDS (ON) -TYP	Rds (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Jännite	Osien nimi	(V)	(A)	Kokoonpano	(MΩ) 10 V	(MΩ) 4,5 V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Kaksois n	-	150	0.4	1.2

Jännite	Osien nimi	V (BR) DSS	Henkilöllisyystodistus	Kokoonpano	RDS (ON) -TYP	Rds (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Jännite	Osien nimi	(V)	(A)	Kokoonpano	(MΩ) 10 V	(MΩ) 4,5 V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Kaksois n	-	150	0.4	1.2

DFN2020-6 MOSFET

Tuoteryhmä

Nopea linkit

Ratkaisu

Liittyvät uutiset

Tuotteemme

Meistä

Lisää linkkejä

Ota yhteyttä

Sosiaaliset verkostot