DFN2020-6 MOSFET
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DFN2020-6 MOSFET

DFN2020-6 पैकेज छह पिन के साथ एक बहुत छोटा प्लास्टिक पैकेज है। इसकी विशेषताओं में छोटे आकार, आसान स्थापना और उच्च घनत्व सर्किट बोर्ड डिजाइन के लिए उपयुक्तता शामिल है। DFN2020-6 पैकेज में आमतौर पर कम-प्रतिरोध और स्विचिंग समय कम होता है, जो इसे कम-शक्ति और छोटे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उपयुक्त बनाता है। इस पैकेज में अच्छी थर्मल विशेषताएं और उच्च विश्वसनीयता भी है, जो विभिन्न प्रकार के पोर्टेबल और एम्बेडेड इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की
उपलब्धता के लिए उपयुक्त है: मात्रा:
मात्रा:

HLT7P02F26 DFN2020-6L पैकेज के साथ, P चैनल एन्हांसमेंट MOS का उपयोग राज्य के प्रतिरोध को कम करने के लिए उच्च घनत्व डिजाइन के साथ उन्नत ट्रेंच प्रौद्योगिकी का उपयोग किया जाता है।


विशेषता

  • VDS = -20V, ID = -7.2a

  • RDS (ON) <21mω @ vgs = -4.5V

  • अत्यधिक कम प्रतिरोध आरडी (ऑन)

  • उच्च घनत्व कोशिका डिजाइन

  • तेजी से स्विचिंग गति



आवेदन 

  • एडाप्टर स्विच, लोड स्विच

  • पीडब्लूएम अनुप्रयोग

  • शक्ति प्रबंध





2

                           DFN2020-6L           DFN2020-6L) 2)

प्रतीक
मिलीमीटर में आयाम
मिन। नामांकित। अधिकतम।

0.70 0.75 0.85
ए 1
0.00 0.02 0.05
ए 2 0.20REF।
बी 0.25 0.30 0.35
डी 1.95 2.00 2.05
डी 1 0.85 0.90 0.95
डी 2 0.25 0.30 0.35
ईटी 1.95 2.00 2.05
ई 1 0.75 0.80 0.85
ई 2 0.56REF।
ईटी
0.65BSC।
एल 0.30
0.35 0.40
K
0.20 - -


वोल्टेज  नाम का हिस्सा वी (बीआर) डीएसएस पहचान विन्यास Rds (on) -typ आरडीएस (ऑन) -मैक्स V ( gs ) th-min वी ( जीएस ) थ-मैक्स
(V) (ए) (एम)) 10 वी (एम)) 4.5 वी (V) (V)
20 HLT1ND02EF26 20 0.75 दोहरे एन 
-
150 0.4 1.2


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