DFN2020-6 MOSFET

Das DFN2020-6-Paket ist ein sehr kleines Plastikpaket mit sechs Stiften. Zu den Funktionen gehören kleine Größe, einfache Installation und Eignung für Leiterplatten-Konstruktionen mit hoher Dichte. Das DFN2020-6-Paket hat in der Regel eine geringere Ein- und Schaltzeiten, wodurch es für geringe Strom- und kleine elektronische Geräte geeignet ist. Dieses Paket hat auch gute thermische Eigenschaften und hohe Zuverlässigkeit, was es für eine Vielzahl von tragbaren und eingebetteten elektronischen Geräten

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HLT7P02F26 Mit DFN2020-6L-Paket wird P Channel Enhancement MOS fortschrittliche Grabentechnologie mit Design mit hoher Dichte verwendet, um den Widerstand auf dem Zustand zu minimieren.

Besonderheit

Vds = -20v, id = -7,2a
RDS (ON) <21mΩ @ VGS = -4,5 V
Extrem niedrige RDS auf der Resistenz (ON)
Zelldesign mit hoher Dichte
Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Anwendung

Adapterschalter, Lastschalter
PWM -Anwendungen
Leistungsmanagement

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Lösung

Automobilsystem

Industrieinstrumentierung

USB -Schnittstelle

Symbol	Dimensionen in Millimetern
Symbol	Min.	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0,20 REF.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56 REF.
e	0,65bSc.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Symbol	Dimensionen in Millimetern
Symbol	Min.	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0,20 REF.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56 REF.
e	0,65bSc.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Stromspannung	Teilname	V (Br) DSS	Ausweis	Konfiguration	Rds (on) -Typ	RDS (on) -Max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) Th-Max
Stromspannung	Teilname	(V)	(A)	Konfiguration	(Mω) 10V	(Mω) 4,5 V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual n	-	150	0.4	1.2

Stromspannung	Teilname	V (Br) DSS	Ausweis	Konfiguration	Rds (on) -Typ	RDS (on) -Max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) Th-Max
Stromspannung	Teilname	(V)	(A)	Konfiguration	(Mω) 10V	(Mω) 4,5 V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual n	-	150	0.4	1.2

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