DFN2020-6 MOSFET

El paquete DFN2020-6 es un paquete de plástico muy pequeño con seis pines. Sus características incluyen tamaño pequeño, instalación fácil e idoneidad para diseños de placa de circuito de alta densidad. El paquete DFN2020-6 generalmente tiene tiempos de cambio y cambio de resistencia más bajos, lo que lo hace adecuado para dispositivos electrónicos de baja potencia y pequeños. Este paquete también tiene buenas características térmicas y alta confiabilidad, lo que lo hace adecuado para una variedad de dispositivos electrónicos portátiles e integrados

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HLT7P02F26 Con el paquete DFN2020-6L, la mejora del canal P se utiliza tecnología de trinchera avanzada con diseño de alta densidad para minimizar la resistencia en el estado.

Característica

Vds = -20v, id = -7.2a
RDS (ON) <21MΩ @ VGS = -4.5V
RDS extremadamente bajo en resistencia (encendido)
Diseño de células de alta densidad
Velocidad de conmutación rápida

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Interruptor adaptador, interruptor de carga
Aplicaciones PWM
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Símbolo	Dimensiones en milímetros
Símbolo	Mínimo	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
b	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
mi	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56Ref.
mi	0.65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Símbolo	Dimensiones en milímetros
Símbolo	Mínimo	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
b	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
mi	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56Ref.
mi	0.65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Voltaje	Nombre de parte	V (Br) DSS	Identificación	Configuración	Rds (on) -typ	Rds (on) -max	V ( GS ) TH-MIN	V ( GS ) Th-Max
Voltaje	Nombre de parte	(V)	(A)	Configuración	(mΩ) 10v	(MΩ) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual N	-	150	0.4	1.2

Voltaje	Nombre de parte	V (Br) DSS	Identificación	Configuración	Rds (on) -typ	Rds (on) -max	V ( GS ) TH-MIN	V ( GS ) Th-Max
Voltaje	Nombre de parte	(V)	(A)	Configuración	(mΩ) 10v	(MΩ) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Dual N	-	150	0.4	1.2

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