DFN2020-6 MOSFET

Il pacchetto DFN2020-6 è un pacchetto di plastica molto piccolo con sei pin. Le sue caratteristiche includono dimensioni ridotte, installazione facile e idoneità per i progetti di circuiti ad alta densità. Il pacchetto DFN2020-6 ha in genere una minore resistenza e tempi di commutazione, rendendolo adatto per dispositivi elettronici a bassa potenza e piccoli. Questo pacchetto ha anche buone caratteristiche termiche e alta affidabilità, rendendolo adatto a una varietà di dispositivi elettronici portatili e incorporati:

quantità:

quantità:



Informarsi Aggiungi al cestino

HLT7P02F26 con pacchetto DFN2020-6L, il MOS di miglioramento del canale P viene utilizzato una tecnologia di trincea avanzata con un design ad alta densità per ottenere una resistenza allo stato.

Caratteristica

VDS = -20V, id = -7.2a
RDS (ON) <21MΩ @ VGS = -4.5V
RDS di resistenza di resistenza estremamente bassa (ON)
Design cellulare ad alta densità
Velocità di commutazione rapida

Applicazione

Interruttore dell'adattatore, interruttore di carico
Applicazioni PWM
Gestione dell'energia

Categoria del prodotto

Collegamenti rapidi

Soluzione

Sistema automobilistico

Strumentazione industriale

Interfaccia USB

Simbolo	Dimensioni in millimetri
Simbolo	Min.	Nom.	Max.
UN	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56ref.
e	0.65bsc.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Simbolo	Dimensioni in millimetri
Simbolo	Min.	Nom.	Max.
UN	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56ref.
e	0.65bsc.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Voltaggio	Nome della parte	V (Br) DSS	Id	Configurazione	RDS (ON) -Typ	Rds (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( GS ) Th-Max
Voltaggio	Nome della parte	(V)	(UN)	Configurazione	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	Hlt1nd02ef26	20	0.75	Dual n	-	150	0.4	1.2

Voltaggio	Nome della parte	V (Br) DSS	Id	Configurazione	RDS (ON) -Typ	Rds (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( GS ) Th-Max
Voltaggio	Nome della parte	(V)	(UN)	Configurazione	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	Hlt1nd02ef26	20	0.75	Dual n	-	150	0.4	1.2

DFN2020-6 MOSFET

Categoria del prodotto

Collegamenti rapidi

Soluzione

Notizie correlate

I nostri prodotti

CHI SIAMO

Più collegamenti

Contattaci

Social network