DFN2020-6 MOSFET

Yint Home » Produkty » Mosfets » Mosfets » DFN2020-6 DFN2020-6 MOSFET

Udostępnij do:

DFN2020-6 MOSFET

Pakiet DFN2020-6 to bardzo mały plastikowy opakowanie z sześcioma szpilkami. Jego funkcje obejmują małe rozmiar, łatwą instalację i przydatność do konstrukcji płyt drukowanych o dużej gęstości. Pakiet DFN2020-6 zwykle ma niższy czas oporności i przełączania, dzięki czemu jest odpowiedni dla urządzeń o niskiej mocy i małych elektronicznych. Ten pakiet ma również dobre charakterystyki termiczne i wysoką niezawodność, dzięki czemu jest odpowiedni dla różnych przenośnych i osadzonych urządzeń elektronicznych

dostępność:

Ilość:



Pytać się Dodaj do kosza

HLT7P02F26 Z pakietem DFN2020-6L, MOS wzmacniający kanał P jest używany zaawansowany technologia wykopów z konstrukcją o dużej gęstości, aby zminimalizować odporność na stan.

Funkcja

VDS = -20V, id = -7,2a
RDS (ON) <21MΩ @ vgs = -4,5v
Niezwykle niskie RDS na rezystancję (ON)
Projekt komórek o wysokiej gęstości
Szybka prędkość przełączania

Aplikacja

Przełącznik adaptera, przełącznik ładowania
Aplikacje PWM
Zarządzanie energią

Poprzedni:

Następny:

Kategoria produktu

Szybkie linki

Skontaktuj się z nami

Rozwiązanie

System motoryzacyjny

Oprzyrządowanie przemysłowe

Interfejs USB

Symbol	Wymiary w milimetrach
Symbol	Min.	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0,20ref.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
mi	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56REF.
mi	0,65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Symbol	Wymiary w milimetrach
Symbol	Min.	Nom.	Max.
A	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0,20ref.
B	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
mi	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56REF.
mi	0,65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Woltaż	Nazwa części	V (BR) DSS	Id	Konfiguracja	RDS (ON)-Typ	RDS (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Woltaż	Nazwa części	(V)	(A)	Konfiguracja	(MΩ) 10 V.	(MΩ) 4,5 V.	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Podwójny n	-	150	0.4	1.2

Woltaż	Nazwa części	V (BR) DSS	Id	Konfiguracja	RDS (ON)-Typ	RDS (on) -max	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Woltaż	Nazwa części	(V)	(A)	Konfiguracja	(MΩ) 10 V.	(MΩ) 4,5 V.	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Podwójny n	-	150	0.4	1.2

DFN2020-6 MOSFET

Kategoria produktu

Szybkie linki

Rozwiązanie

Powiązane wiadomości

Nasze produkty

O nas

Więcej linków

Skontaktuj się z nami

Sieci społecznościowe