DFN2020-6 MOSFET

P Channel Enhancement MOS帶有DFN2020-6L軟件包的HLT7P02F26，使用具有高密度設計的高級TRENCH技術，以最大程度地減少狀態阻力。

特徵

• VDS = -20V，ID = -7.2A

• rds（on）<21mΩ @ vgs = -4.5V

• 極低的抗性RD（開）

• 高密度電池設計

• 快速開關速度

應用 

• 適配器開關，加載開關

• PWM應用程序

• 電源管理