DFN2020-6

DFN2020-6 MOSFET

DFN2020-6 փաթեթը շատ փոքր պլաստիկ փաթեթ է `վեց քորոցով: Դրա առանձնահատկությունները ներառում են փոքր չափի, հեշտ տեղադրում եւ համապատասխանություն բարձր խտության միացման տախտակի ձեւավորման համար: DFN2020-6 փաթեթը, որպես կանոն, ունի ավելի ցածր դիմադրողականության եւ միացման ժամանակներ, այն հարմար դարձնելով ցածր էներգիայի եւ փոքր էլեկտրոնային սարքերի համար: Այս փաթեթը ունի նաեւ լավ ջերմային բնութագրեր եւ բարձր հուսալիություն, այն հարմար դարձնելով տարբեր դյուրակիր եւ ներկառուցված էլեկտրոնային սարքերի

Քանակ:

Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

Սիմվոլ	Չափերը միլիմետրերով
Սիմվոլ	Րոպե	Անուն:	Մաքս.
Էունք	0.70	0.75	0.85
Ա 1	0.00	0.02	0.05
Ա 2	0.20REF.
բոց	0.25	0.30	0.35
Հանկարծ	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
Եփ	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56REF:
եփ	0.65 էջ:
Լակոտ	0.30	0.35	0.40
Ք	0.20	-	-

Սիմվոլ	Չափերը միլիմետրերով
Սիմվոլ	Րոպե	Անուն:	Մաքս.
Էունք	0.70	0.75	0.85
Ա 1	0.00	0.02	0.05
Ա 2	0.20REF.
բոց	0.25	0.30	0.35
Հանկարծ	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
Եփ	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0,56REF:
եփ	0.65 էջ:
Լակոտ	0.30	0.35	0.40
Ք	0.20	-	-

Վոլտաժ	Մասի անվանումը	V (br) DSS	Id	Ձեվակերպություն	RDS (ON) -TYP	RDS (ON) -MAX	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Վոլտաժ	Մասի անվանումը	(V)	(Ա)	Ձեվակերպություն	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Երկակի n	-	150	0.4	1.2

Վոլտաժ	Մասի անվանումը	V (br) DSS	Id	Ձեվակերպություն	RDS (ON) -TYP	RDS (ON) -MAX	V ( gs ) th-min	V ( gs ) th-max
Վոլտաժ	Մասի անվանումը	(V)	(Ա)	Ձեվակերպություն	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1ND02EF26	20	0.75	Երկակի n	-	150	0.4	1.2

DFN2020-6 MOSFET

Ապրանքի կատեգորիա

Արագ հղումներ

Լուծում

Առնչվող նորություններ

Մեր արտադրանքը

Մեր մասին

Լրացուցիչ հղումներ

Կապվեք մեզ հետ

Սոցիալական ցանցեր

առկայության .

Քանակ:



Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ