DFN2020-6 MOSFET

O pacote DFN2020-6 é um pacote de plástico muito pequeno com seis pinos. Seus recursos incluem tamanho pequeno, instalação fácil e adequação para projetos de placa de circuito de alta densidade. O pacote DFN2020-6 normalmente possui tempos de resistência e troca mais baixos, tornando-o adequado para dispositivos eletrônicos de baixa potência e pequenos. Este pacote também possui boas características térmicas e alta confiabilidade, tornando -o adequado para uma variedade de dispositivos eletrônicos portáteis e incorporados,

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HLT7P02F26 Com o pacote DFN2020-6L, o MOS de aprimoramento do canal P é usado a tecnologia avançada de vala com design de alta densidade para obter a resistência no estado.

Recurso

Vds = -20V, id = -7.2a
Rds (on) <21mω @ vgs = -4,5V
RDS extremamente baixa na resistência (ON)
Design de células de alta densidade
Velocidade de comutação rápida

Aplicativo

Interruptor do adaptador, interruptor de carga
Aplicativos PWM
Gerenciamento de energia

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Solução

Sistema automotivo

Instrumentação Industrial

Interface USB

Símbolo	Dimensões em milímetros
Símbolo	Min.	Nom.	Máx.
UM	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
b	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56Ref.
e	0.65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Símbolo	Dimensões em milímetros
Símbolo	Min.	Nom.	Máx.
UM	0.70	0.75	0.85
A1	0.00	0.02	0.05
A2	0.20Ref.
b	0.25	0.30	0.35
D	1.95	2.00	2.05
D1	0.85	0.90	0.95
D2	0.25	0.30	0.35
E	1.95	2.00	2.05
E1	0.75	0.80	0.85
E2	0.56Ref.
e	0.65BSC.
L	0.30	0.35	0.40
K	0.20	-	-

Tensão	Nome da peça	V (Br) DSS	Eu ia	Configuração	Rds (on) -Typ	Rds (on) -max	V ( GS ) Th-Min	V ( GS ) Th-Max
Tensão	Nome da peça	(V)	(UM)	Configuração	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1nd02EF26	20	0.75	Duplo n	-	150	0.4	1.2

Tensão	Nome da peça	V (Br) DSS	Eu ia	Configuração	Rds (on) -Typ	Rds (on) -max	V ( GS ) Th-Min	V ( GS ) Th-Max
Tensão	Nome da peça	(V)	(UM)	Configuração	(Mω) 10V	(Mω) 4.5V	(V)	(V)
20	HLT1nd02EF26	20	0.75	Duplo n	-	150	0.4	1.2

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