DFN2020-6 MOSFET

P Channel Enhancement MOS带有DFN2020-6L软件包的HLT7P02F26，使用具有高密度设计的高级TRENCH技术，以最大程度地减少状态阻力。

特征

• VDS = -20V，ID = -7.2A

• rds（on）<21mΩ @ vgs = -4.5V

• 极低的抗性RD（开）

• 高密度电池设计

• 快速开关速度

应用 

• 适配器开关，加载开关

• PWM应用程序

• 电源管理