DFN2020-6 MOSFET

HLT7P02F26採用DFN2020-6L封裝，P通道增強MOS採用先進的溝槽技術和高密度設計，以獲得最小的通態電阻。

特徵

• VDS=-20V，ID=-7.2A

• RDS(ON) <21mΩ @ VGS=-4.5V

• 極低的導通電阻 RDS (on)

• 高密度電池設計

• 開關速度快

應用 

• 適配器開關、負載開關

• 脈寬調變應用

• 能源管理