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HLT7P02F26采用DFN2020-6L封装，P沟道增强MOS采用先进的沟槽技术和高密度设计，以获得最小的通态电阻。
特征
VDS=-20V，ID=-7.2A
RDS(ON) <21mΩ @ VGS=-4.5V
极低的导通电阻 RDS (on)
高密度电池设计
开关速度快
应用
适配器开关、负载开关
脉宽调制应用
能源管理
HLT7P02F26采用DFN2020-6L封装，P沟道增强MOS采用先进的沟槽技术和高密度设计，以获得最小的通态电阻。
特征
VDS=-20V，ID=-7.2A
RDS(ON) <21mΩ @ VGS=-4.5V
极低的导通电阻 RDS (on)
高密度电池设计
开关速度快
应用
适配器开关、负载开关
脉宽调制应用
能源管理
