SIC strømenheter og omvendt forspenning av høy temperatur

SIC (silisiumkarbid) Strømenheter kan effektivt oppfylle kravene til høy effektivitet, miniatyrisering, lett vekt og høy effekt av strømelektroniske systemer på grunn av deres høye temperaturmotstand, høy spenningsmotstand og lavt tap. Det er etterspurt av nye energikjøretøyer, solcelleanlegg, jernbanetransport, smart nett og andre felt.

I løpet av kjøretøyer kan de betydelige fordelene med SIC -strømenheter i energikonverteringseffektivitet effektivt øke cruiseområdet og ladeeffektiviteten til elektriske kjøretøyer. I tillegg har SIC-enheter lavere motstand, mindre brikkestørrelse og høyere driftsfrekvens, noe som kan få elektriske kjøretøyer til å tilpasse seg mer komplekse kjøreforhold. Med forbedring av SIC -utbytte og reduksjon av kostnadene, vil den installerte kapasiteten til SIC -strømenheter i nye energikjøretøyer øke betydelig, og etterspørselen etter SIC -strømenheter i kjøretøy vil også innlede en sprangutvikling.

For tiden, når det gjelder den globale industrielle utformingen av SIC, har USA, Europa og Japan dannet en trekraftsituasjon. Sammenlignet med førstegenerasjons og andre generasjons halvledermaterialer, er den globale tredje generasjons halvlederindustri fremdeles i det tidlige stadiet av utviklingen, og gapet mellom den innenlandske og mainstream SIC-industrien som ikke er sammensatt i en mulighet for den innenlandske tre-og-en-halv generasjons industrien til å bli en bending og inngår den høye-en-halv-generasjons industrien til å bli en bending og inngår den innenlandske tre-en-en-en-halv generasjons industrien til å være sammenslått av den innenlandske bransjene som ikke er stor.

Høy temperatur omvendt forspenningstest av SIC -strømenheter ：

1. Rollen som høy temperatur omvendt forspenningstest

Den høye temperaturen omvendt forspenningstest er å simulere enheten som fungerer med den høyeste omvendte skjevspenningen eller spesifisert omvendt skjevspenning i statisk eller stabil tilstandsmodus for å studere livssimuleringen av enheten under skjevhetsforhold og temperatur over tid. Selv noen produsenter vil bruke den som kjernetest for første eller andre screening.

 

2. Testbetingelser for omvendt forspenning av høy temperatur

Hovedteststandardene for omvendt skjevhet av høy temperatur for diskrete enheter inkluderer MIL-STD-750 Metode 1038, JESD22-A108, GJB 128A-1997 Metode 1038, AEC-Q101 Tabell 2 B1-element, etc. Various standarder har gjort klare definisjon Blant dem er kravene i bilforskriften de strengeste, kjører 1000H under 100% omvendt skjev spenning.

For SIC -strømenheter er den maksimale nominelle kryssstemperaturen generelt over 175 ° C, og den omvendte skjevet spenningen har overskredet 650V. Høyere temperatur og sterkere elektrisk felt akselererer diffusjonen og migrasjonen av mobile ioner eller urenheter i passiveringslaget. På denne måten kan enhetsavvik oppdages på forhånd, og påliteligheten til enheten kan verifiseres i større grad.

3. Prosessovervåking av høye temperaturer omvendt forspenningstest av SIC -strømenheter

Lekkasjestrømmen med høy temperatur for SIC-dioder er vanligvis 1-100 μA, mens lekkasjestrømmen til SIC-dioder under tester med høy temperatur er vanligvis relativt liten, på nivå med 0,1-10 μA. Lekkasje kan også øke over tid hvis enheten er mangelfull. Dette krever et sanntids overvåkingssystem med høy presisjon lekkasje for å gi overvåkningsdata for lekkasjestrøm gjennom hele testsyklusen for å observere teststatusen til enheten.

4. Hvordan bestå den høye temperaturen omvendt forspenningstest?

Den høye temperaturen omvendt forspenningstest undersøker hovedsakelig materialet, strukturen og emballasjens pålitelighet av enheten, som kan gjenspeile svakheten eller nedbrytningseffekten av enhetens kantterminal, passiveringslag og sammenkoblingsstruktur.

Hvorvidt en strømanordning kan bestå den høye temperaturen omvendt forspenningstest, bør derfor vurdere risikoer fra produktdesignstadiet, og omfattende vurdere de aldrende effektene av elektrisk felt og høy temperatur på materialer, strukturer og passiveringslag. De faktiske applikasjonsmiljøfaktorene krever integrert styring og kontroll av materialvalg, konstruksjonsdesign og forbedrer avkastningshastigheten.