Ang mga aparato ng power power at mataas na temperatura reverse bias

Ang mga aparato ng kapangyarihan ng SIC (Silicon) ay maaaring epektibong matugunan ang mga kinakailangan ng mataas na kahusayan, miniaturization, light weight, at mataas na lakas ng lakas ng mga elektronikong sistema dahil sa kanilang mataas na temperatura na paglaban, mataas na boltahe na paglaban, at mababang pagkawala ng paglipat. Ito ay hinahangad ng mga bagong sasakyan ng enerhiya, photovoltaic power generation, riles transit, matalinong grid at iba pang mga patlang.

Sa larangan ng mga sasakyan, ang mga makabuluhang bentahe ng mga aparato ng kapangyarihan ng SIC sa kahusayan ng conversion ng enerhiya ay maaaring epektibong madagdagan ang saklaw ng cruising at singilin ang kahusayan ng mga de -koryenteng sasakyan. Bilang karagdagan, ang mga aparato ng SIC ay may mas mababang on-resistensya, mas maliit na laki ng chip, at mas mataas na dalas ng operating, na maaaring gumawa ng mga de-koryenteng sasakyan na umangkop sa mas kumplikadong mga kondisyon sa pagmamaneho. Sa pamamagitan ng pagpapabuti ng ani ng SIC at ang pagbawas ng gastos, ang naka -install na kapasidad ng mga aparato ng kapangyarihan ng SIC sa mga bagong sasakyan ng enerhiya ay tataas nang malaki, at ang demand para sa mga aparato ng kapangyarihan ng SIC sa mga sasakyan ay magaganap din sa isang pag -unlad ng leapfrog.

Sa kasalukuyan, sa mga tuntunin ng pandaigdigang layout ng pang-industriya ng SIC, Estados Unidos, Europa, at Japan ay nabuo ang isang sitwasyon ng tatlong-kapangyarihan. Gayunpaman, kung ihahambing sa mga materyales na first-generation at pangalawang henerasyon na semiconductor na materyales, ang pandaigdigang industriya ng semiconductor na pangatlong henerasyon ay nasa maagang yugto ng pag-unlad, at ang agwat sa pagitan ng industriya ng domestic at mainstream na SIC ay hindi malaki ， nagbibigay ito ng isang pagkakataon para sa domestic three-and-a-half-generation na industriya na maabutan ang isang liko at ipasok ang high-end na chain chain ng semiconductor.

Mataas na temperatura reverse bias test ng mga aparato ng power power ： ：

1. Ang papel ng mataas na temperatura reverse bias test

Ang mataas na temperatura reverse bias test ay upang gayahin ang aparato na nagtatrabaho sa pinakamataas na reverse bias boltahe o tinukoy na reverse bias boltahe sa static o matatag na mode ng estado upang pag -aralan ang simulation ng buhay ng aparato sa ilalim ng mga kondisyon ng bias at temperatura sa paglipas ng panahon. Kahit na ang ilang mga tagagawa ay gagamitin ito bilang pangunahing pagsubok sa una o pangalawang screening.

 

2. Mga kondisyon ng pagsubok para sa mataas na temperatura reverse bias

Ang pangunahing pamantayan sa pagsubok para sa mataas na temperatura reverse bias ng mga discrete na aparato ay kasama ang MIL-STD-750 na pamamaraan 1038, JESD22-A108, GJB 128A-1997 Paraan 1038, AEC-Q101 Talahanayan 2 B1 Item, atbp. Kabilang sa mga ito, ang mga kinakailangan ng mga regulasyon ng automotiko ay ang pinaka mahigpit, magpatakbo ng 1000H sa ilalim ng 100% reverse bias boltahe.

Para sa mga aparato ng kapangyarihan ng SIC, ang maximum na rate ng temperatura ng kantong sa pangkalahatan ay higit sa 175 ° C, at ang reverse bias boltahe ay lumampas sa 650V. Ang mas mataas na temperatura at mas malakas na patlang ng kuryente ay mapabilis ang pagsasabog at paglipat ng mga mobile ion o impurities sa layer ng passivation.I sa ganitong paraan, ang mga abnormalidad ng aparato ay maaaring makita nang maaga, at ang pagiging maaasahan ng aparato ay maaaring mapatunayan sa isang mas malaking sukat.

3. Pagsubaybay sa Proseso ng Mataas na Temperatura Reverse Bias Test ng SIC Power Device

Ang mataas na temperatura na pagtagas ng kasalukuyang mga diode ng SIC ay karaniwang 1-100 μA, habang ang pagtagas ng kasalukuyang mga diode ng SIC sa panahon ng mga high-temperatura na reverse bias test ay karaniwang medyo maliit, sa antas ng 0.1-10 μA. Ang pagtagas ay maaari ring tumaas sa paglipas ng panahon kung may depekto ang aparato. Nangangailangan ito ng isang real-time, high-precision na pagtagas ng sistema ng pagsubaybay upang magbigay ng data ng pagsubaybay ng kasalukuyang pagtagas sa buong siklo ng pagsubok upang obserbahan ang katayuan ng pagsubok ng aparato.

4. Paano maipasa ang mataas na temperatura reverse bias test?

Ang high-temperatura reverse bias test ay pangunahing sinusuri ang materyal, istraktura, at pagiging maaasahan ng packaging ng aparato, na maaaring sumasalamin sa kahinaan o pagkasira ng epekto ng terminal ng gilid ng aparato, layer ng passivation, at istruktura ng magkakaugnay.

Samakatuwid, kung ang isang aparato ng kuryente ay maaaring pumasa sa mataas na temperatura na reverse bias test ay dapat isaalang-alang ang mga panganib mula sa yugto ng disenyo ng produkto, at komprehensibong isaalang-alang ang mga epekto ng electric field at mataas na temperatura sa mga materyales, istruktura, at mga layer ng passivation. Ang aktwal na mga kadahilanan sa kapaligiran ng aplikasyon ay nangangailangan ng pinagsamang pamamahala at kontrol ng pagpili ng materyal, disenyo ng konstruksyon ng istraktura, at pagbutihin ang rate ng ani.