SIC（碳化矽）電源設備可以有效地滿足高效率，微型化，輕質重量和高功率電子系統的要求，這是由於其高溫電阻，高電壓電阻和較低的開關損耗。新型能源車輛，光伏發電，鐵路運輸，智能電網和其他田地已引起人們的追捧。
在車輛領域，SIC電源設備在能源轉換效率方面的顯著優勢可以有效提高電動汽車的巡航範圍和充電效率。此外， SIC設備 具有較低的抵抗力，較小的芯片尺寸和較高的工作頻率，這可以使電動汽車適應更複雜的駕駛條件。隨著SIC產量的提高和成本降低，新能量車輛中SIC電源設備的安裝能力將大大增加，並且對車輛中SIC電源設備的需求也將引入跨越的開發。
目前，就SIC，美國，歐洲和日本的全球工業佈局而言，已經形成了三功率的情況。 However, compared with the first-generation and second-generation semiconductor materials, the global third-generation semiconductor industry is still in the early stage of development, and the gap between the domestic and mainstream SiC industry not big，it provides an opportunity for the domestic three-and-a-half-generation industry to overtake on a bend and enter the high-end industry chain of semiconductor components.
SIC電源設備的高溫反向偏置測試：
1。的作用 高溫反向偏置測試
高溫反向偏置測試是在靜態或穩態模式下模擬以最高反向偏置電壓或指定的反向偏置電壓工作的設備，以隨著時間的推移在偏置條件和溫度下研究設備的生命模擬。甚至一些製造商也將其用作第一或第二次篩選的核心測試。
2。高溫反向偏置的測試條件
離散設備的高溫反向偏置的主要測試標準包括MIL-STD-750方法1038，JESD22-A108，GJB 128A-1997方法1038，AEC-Q101表2 B1表等。各種標准在測試溫度，反向偏置電壓和電測試方面的定義明確定義。其中，汽車法規的要求是最嚴格的，在100％的反向偏置電壓下運行1000H。
對於SIC功率設備，最大額定連接溫度通常高於175°C，反向偏置電壓已超過650V。較高的溫度和更強的電場加速了鈍化層中移動離子或雜質的擴散和遷移。這樣，可以預先檢測到設備異常，並且可以在更大程度上驗證設備的可靠性。
3。高溫反向偏置測試的過程監視
SIC二極管的高溫洩漏電流通常為1-100μa，而在高溫反向偏置測試中，SIC二極管的洩漏電流通常相對較小，在0.1-10μA的水平下。如果設備有缺陷，洩漏也會隨著時間的推移增加。這需要實時，高精度的洩漏監視系統，以提供整個測試週期中洩漏電流的監視數據，以觀察設備的測試狀態。
4。如何通過高溫反向偏置測試？
高溫反向偏置測試主要檢查設備的材料，結構和包裝可靠性，這可以反映設備的邊緣終端，鈍化層和互連結構的弱或降解效應。
因此，電源設備是否可以通過高溫反向偏置測試應考慮產品設計階段的風險，並全面考慮電場和高溫對材料，結構和鈍化層的衰老影響。實際的應用環境因素需要集成管理和控製材料選擇，結構構建設計並提高收益率。
