SIC（シリコン炭化物）電力装置は、高温抵抗、高電圧抵抗、およびスイッチング損失の低いため、高効率、小型化、軽量、電力電子システムの高出力密度の要件を効果的に満たすことができます。新しいエネルギー車、太陽光発電、鉄道輸送、スマートグリッド、その他のフィールドに求められてきました。
車両の分野では、エネルギー変換効率におけるSICパワーデバイスの重要な利点は、電気自動車の巡航範囲と充電効率を効果的に向上させる可能性があります。さらに、 SICデバイスは 、耐抵抗が低く、チップサイズが小さく、動作周波数が高く、電気自動車がより複雑な運転条件に適応する可能性があります。 SICの収量の改善とコストの削減により、新しいエネルギー車にSIC電力装置の設置容量が大幅に増加し、車両のSIC電力装置の需要も跳躍途中の開発を導きます。
現在、SICの世界的な産業レイアウトに関しては、米国、ヨーロッパ、日本が3倍の状況を形成しています。しかし、第1世代および第2世代の半導体材料と比較して、グローバルな第3世代の半導体産業はまだ開発の初期段階にあり、国内および主流のSIC産業のギャップは大きくないため、国内3世代の業界が曲がり角を追い越して、半導体鎖の高さに入る機会を提供します。
SICパワーデバイスの高温逆バイアステスト：
1.の役割 高温逆バイアステスト
高温の逆バイアステストは、静的または定常状態モードで最も高い逆バイアス電圧または指定された逆バイアス電圧で動作するデバイスをシミュレートすることです。一部のメーカーでさえ、それを最初または2回目のスクリーニングのコアテストとして使用します。
2。高温逆バイアスのテスト条件
離散デバイスの高温逆バイアスの主要なテスト標準には、MIL-STD-750メソッド1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997メソッド1038、AEC-Q101表2 B1アイテムなどがあります。その中で、自動車規制の要件は最も厳しい、100％逆バイアス電圧の下で1000Hを実行しています。
SICパワーデバイスの場合、最大定格接合温度は一般に175°Cを超えており、逆バイアス電圧は650Vを超えています。より高い温度とより強い電界は、動揺層のモバイルイオンまたは不純物の拡散と移動を加速します。このようにして、デバイスの異常を事前に検出し、デバイスの信頼性を大幅に検証できます。
3。高温のプロセスモニタリングSICパワーデバイスの逆バイアステスト
SICダイオードの高温漏れ電流は一般に1〜100μAですが、高温逆バイアステスト中のSICダイオードの漏れ電流は通常、0.1〜10μAのレベルで比較的小さくなります。デバイスに欠陥がある場合、漏れも時間とともに増加する可能性があります。これには、デバイスのテストステータスを観察するために、テストサイクル全体の漏れ電流の監視データを提供するために、リアルタイムの高精度漏れ監視システムが必要です。
4.高温逆バイアステストに合格する方法は？
高温逆バイアステストは、主にデバイスの材料、構造、およびパッケージングの信頼性を調べます。これは、デバイスのエッジ端子、パッシベーション層、および相互接続構造の衰弱または分解効果を反映できます。
したがって、電源デバイスが高温逆バイアステストに合格できるかどうかは、製品設計段階からのリスクを考慮し、材料、構造、およびパッシベーション層に対する電界と高温の老化効果を包括的に考慮する必要があります。実際のアプリケーション環境要因には、材料選択の統合された管理と制御、構造の構造設計、および利回り率の改善が必要です。
