SIC（碳化硅）电源设备可以有效地满足高效率，微型化，轻质重量和高功率电子系统的要求，这是由于其高温电阻，高电压电阻和较低的开关损耗。新型能源车辆，光伏发电，铁路运输，智能电网和其他田地已引起人们的追捧。
在车辆领域，SIC电源设备在能源转换效率方面的显着优势可以有效提高电动汽车的巡航范围和充电效率。此外， SIC设备 具有较低的抵抗力，较小的芯片尺寸和较高的工作频率，这可以使电动汽车适应更复杂的驾驶条件。随着SIC产量的提高和成本降低，新能量车辆中SIC电源设备的安装能力将大大增加，并且对车辆中SIC电源设备的需求也将引入跨越的开发。
目前，就SIC，美国，欧洲和日本的全球工业布局而言，已经形成了三功率的情况。 However, compared with the first-generation and second-generation semiconductor materials, the global third-generation semiconductor industry is still in the early stage of development, and the gap between the domestic and mainstream SiC industry not big，it provides an opportunity for the domestic three-and-a-half-generation industry to overtake on a bend and enter the high-end industry chain of semiconductor components.
SIC电源设备的高温反向偏置测试：
1。的作用 高温反向偏置测试
高温反向偏置测试是在静态或稳态模式下模拟以最高反向偏置电压或指定的反向偏置电压工作的设备，以随着时间的推移在偏置条件和温度下研究设备的生命模拟。甚至一些制造商也将其用作第一或第二次筛选的核心测试。
2。高温反向偏置的测试条件
离散设备的高温反向偏置的主要测试标准包括MIL-STD-750方法1038，JESD22-A108，GJB 128A-1997方法1038，AEC-Q101表2 B1表等。各种标准在测试温度，反向偏置电压和电测试方面的定义明确定义。其中，汽车法规的要求是最严格的，在100％的反向偏置电压下运行1000H。
对于SIC功率设备，最大额定连接温度通常高于175°C，反向偏置电压已超过650V。较高的温度和更强的电场加速了钝化层中移动离子或杂质的扩散和迁移。这样，可以预先检测到设备异常，并且可以在更大程度上验证设备的可靠性。
3。高温反向偏置测试的过程监视
SIC二极管的高温泄漏电流通常为1-100μa，而在高温反向偏置测试中，SIC二极管的泄漏电流通常相对较小，在0.1-10μA的水平下。如果设备有缺陷，泄漏也会随着时间的推移增加。这需要实时，高精度的泄漏监视系统，以提供整个测试周期中泄漏电流的监视数据，以观察设备的测试状态。
4。如何通过高温反向偏置测试？
高温反向偏置测试主要检查设备的材料，结构和包装可靠性，这可以反映设备的边缘终端，钝化层和互连结构的弱或降解效应。
因此，电源设备是否可以通过高温反向偏置测试应考虑产品设计阶段的风险，并全面考虑电场和高温对材料，结构和钝化层的衰老影响。实际的应用环境因素需要集成管理和控制材料选择，结构构建设计并提高收益率。
