ဆီလီကွန်ကာလက်ထက်အိုင်းယွန်းများကဘာလဲ။
Views: 0 စာရေးသူ - ဆိုဒ်အယ်ဒီတာကိုထုတ်ဝေသည်။ 2023-07-06 မူလအစ: ဆိုဘ်ဆိုက်
မေးမြန်း
၏ ION IXTALITION ဆီလီကွန်ကာဘန်း သည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာဗွန်ပစ္စည်းများအတွက်တိကျသောအညစ်အကြေးအက်တမ်များကိုမိတ်ဆက်ပေးရန်အသုံးပြုသောနည်းစနစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။

Ion implantation လုပ်ငန်းစဉ်တွင်အောက်ပါအဆင့်များပါ 0 င်သည်။
1 ။ အများအားဖြင့် Boroon (B), နိုက်ထရိုဂျင် ()) သို့မဟုတ်ဖော့စဖရပ် ()) စသည်တို့ကို implants လုပ်ရန်အတွက်သတ်မှတ်ထားသောအညစ်အကြေး ats များကိုရွေးချယ်ပါ။
2 ။ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းမှုဖြစ်စဉ်ကိုထောက်ပံ့ရန်နှင့်ကာကွယ်ရန် SIC အလွှာနှင့်ရုပ်ရှင်ကိုပြင်ဆင်ပါ။
3 ။ ဆီလီကွန်ကာဘက်ရုပ်ပစ္စည်းအဖြစ်စွမ်းအင်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ကိုမိတ်ဆက်ပေးရန် Ion implanter ကိုသုံးပါ။ အိုင်းယွန်းတစ်ရောင်ခြည်သည်အမြှေးပါးကိုဖြတ်သန်းပြီးဆီလီကွန်ကာလက်သည်ကြည်လင်ထဲသို့ထည့်သွင်းထားသည်။
4 ။ implantation ပြီးစီးပြီးနောက် Annealing, သန့်ရှင်းရေးနှင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပုံစံများကဲ့သို့သောအခြားလုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များကိုအိုင်းယွန်း implants ပစ္စည်းများကို functional device ကိုပြောင်းလဲရန်အသုံးပြုသည်။
DoPing DoPing Technology သည်အိုင်းယွန်း implantation process ကိုထိန်းချုပ်ရန်နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ မျက်နှာဖုံးများကိုပစ်မှတ်ထားသောနေရာများတွင် Photoresist ကိုတိကျသောဒေသများသို့လျှောက်ထားခြင်းနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုစသည့်အဆင့်များကိုလုပ်ဆောင်ခြင်းအားဖြင့်ပစ်မှတ်ထားသောနေရာများတွင်ဖန်တီးထားသည်။ ဤမျက်နှာဖုံးသည်အိုင်းယန်းများကိုအကာအကွယ်ပေးထားသော areas ရိယာများမှပစ္စည်းထဲသို့ 0 င်ရောက်ခြင်းကိုကာကွယ်ပေးသည်။ selective doping နည်းစနစ်များကိုဆီလီကွန်ကာဘက်ဒူးမားသောပစ္စည်းများရှိတိကျသော doped ဒေသများဖန်တီးရန် အသုံးပြု. ပစ္စည်း၏အီလက်ထရောနစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ကိရိယာစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အသုံးပြုနိုင်သည်။
အားလုံးတွင်ဆီလီကွန်ကာဘကျ၏အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းမှုမှာအိုင်းယွန်းများထဲမှတစ်ခုမှာတိကျသောအရောအနှောအက်တမ်များကိုပစ္စည်းထဲသို့မိတ်ဆက်ပေးသည့်နည်းပညာဖြစ်သည်။ Silicon Carbide ပစ္စည်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် Mask Teacher မှတစ်ဆင့် doping ကို doping တစ်ခုတွင်အောင်မြင်သည်။