Quan điểm: 0 Tác giả: Trình chỉnh sửa trang web xuất bản Thời gian: 2023-07-06 Nguồn gốc: Địa điểm
Cấy ion của cacbua silic là một kỹ thuật được sử dụng để giới thiệu các nguyên tử tạp chất cụ thể trong vật liệu cacbua silicon. Cấy ghép thường cấy ghép các chất dopant mong muốn vào các tinh thể cacbua silicon bằng phương pháp chùm ion năng lượng cao.
Quá trình cấy ghép ion bao gồm các bước sau:
1. Chọn các nguyên tử tạp chất mục tiêu được cấy ghép, thường là boron (b), nitơ (n) hoặc phốt pho (p), v.v.
2. Chuẩn bị chất nền SIC và màng để hỗ trợ và bảo vệ quá trình cấy ion.
3. Sử dụng Ion Implanter để giới thiệu chùm ion năng lượng cao vào vật liệu cacbua silic. Một chùm ion đi qua màng và được cấy vào tinh thể cacbua silicon.
4 Sau khi hoàn thành cấy ghép, các bước quy trình khác như ủ, làm sạch và hình thành điện cực được sử dụng để chuyển đổi vật liệu được cấy ion thành một thiết bị chức năng.
Công nghệ doping chọn lọc là một phương pháp kiểm soát quá trình cấy ghép ion. Nó sử dụng quang học và công nghệ phim để xác định chính xác và kiểm soát khu vực cấy ghép ion trong quá trình sản xuất. Mặt nạ được tạo ra trong các khu vực được nhắm mục tiêu bằng cách áp dụng phương pháp quang học cho các khu vực cụ thể và thực hiện các bước như tiếp xúc và phát triển. Mặt nạ này ngăn các ion xâm nhập vào vật liệu từ các khu vực được bảo vệ, cho phép doping chọn lọc. Các kỹ thuật pha tạp chọn lọc có thể được sử dụng để tạo ra các vùng pha tạp cụ thể trong các vật liệu cacbua silicon, do đó tối ưu hóa các thuộc tính điện tử và hiệu suất thiết bị của vật liệu.
Nói chung, việc cấy ion của silicon cacbua là một công nghệ đưa các nguyên tử tạp chất cụ thể vào vật liệu và công nghệ pha tạp chọn lọc là một phương pháp kiểm soát quá trình cấy ion. Doping đạt được trong một khu vực cụ thể thông qua công nghệ mặt nạ để đạt được tối ưu hóa hiệu suất của vật liệu cacbua silicon.
