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离子注入 碳化硅 是一种用于在碳化硅材料中引入特定杂质原子的技术。离子注入通常通过高能离子束将所需的掺杂剂注入到碳化硅晶体中。
离子注入工艺包括以下步骤：
1、选择要注入的目标杂质原子，通常是硼（B）、氮（N）或磷（P）等。
2. 准备SiC衬底和薄膜以支持和保护离子注入过程。
3.使用离子注入机将高能离子束引入碳化硅材料中。离子束穿过薄膜并注入碳化硅晶体中。
4. 注入完成后，采用退火、清洗、电极形成等其他工艺步骤，将离子注入材料转化为功能器件。
选择性掺杂技术 是一种控制离子注入过程的方法，它利用光刻和薄膜技术在制造过程中精确限定和控制离子注入区域。通过将光致抗蚀剂涂在特定区域并执行曝光和显影等步骤，在目标区域创建掩模。该掩模可防止离子从受保护区域进入材料，从而实现选择性掺杂。选择性掺杂技术可用于在碳化硅材料中创建特定的掺杂区域，从而优化材料的电子特性和器件性能。
总而言之，碳化硅的离子注入是一种向材料中引入特定杂质原子的技术，而选择性掺杂技术是一种控制离子注入过程的方法。通过掩模技术在特定区域实现掺杂，以实现碳化硅材料性能的优化。
