的离子植入 碳化硅 是一种用于在碳化硅材料中引入特定杂质原子的技术。离子植入通常通过高能离子束将所需的掺杂剂植入碳化硅晶体中。
离子植入过程包括以下步骤：
1。选择要植入的靶杂质原子，通常是硼（B），氮（N）或磷（P）等。
2.准备SIC底物和膜以支持和保护离子植入过程。
3。使用离子植入器将高能离子束引入碳化硅材料中。一束离子穿过膜，并植入碳化硅晶体中。
4。植入完成后，使用退火，清洁和电极形成等其他过程步骤将离子植入的材料转换为功能设备。
选择性掺杂技术 是一种控制离子植入过程的方法。它使用光刻学和膜技术在制造过程中精确定义和控制离子植入区域。通过在特定区域应用光线器并执行诸如曝光和开发等步骤，在目标区域中创建口罩。该面膜可防止离子从保护区域进入材料，从而使选择性掺杂。选择性掺杂技术可用于在碳化硅材料中创建特定的掺杂区域，从而优化材料的电子性能和设备性能。
总而言之，碳化硅的离子植入是一种将特定杂质原子引入材料的技术，选择性掺杂技术是控制离子植入过程的一种方法。通过蒙版技术在特定区域实现掺杂，以优化碳化硅材料的性能。
