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離子注入 碳化矽 是一種用於在碳化矽材料中引入特定雜質原子的技術。離子注入通常通過高能離子束將所需的摻雜劑注入到碳化矽晶體中。
離子注入工藝包括以下步驟：
1、選擇要注入的目標雜質原子，通常是硼（B）、氮（N）或磷（P）等。
2. 準備SiC襯底和薄膜以支持和保護離子注入過程。
3.使用離子注入機將高能離子束引入碳化矽材料中。離子束穿過薄膜並註入碳化矽晶體中。
4. 注入完成後，採用退火、清洗、電極形成等其他工藝步驟，將離子注入材料轉化為功能器件。
選擇性摻雜技術 是一種控制離子注入過程的方法，它利用光刻和薄膜技術在製造過程中精確限定和控制離子注入區域。通過將光致抗蝕劑塗在特定區域並執行曝光和顯影等步驟，在目標區域創建掩模。該掩模可防止離子從受保護區域進入材料，從而實現選擇性摻雜。選擇性摻雜技術可用於在碳化矽材料中創建特定的摻雜區域，從而優化材料的電子特性和器件性能。
總而言之，碳化矽的離子注入是一種向材料中引入特定雜質原子的技術，而選擇性摻雜技術是一種控制離子注入過程的方法。通過掩模技術在特定區域實現摻雜，以實現碳化矽材料性能的優化。
